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SiC(パワー半導体)

最新鋭評価装置でパワー半導体の開発を支援

パワー半導体はコンバータやインバータの電力制御に利用されていますが、近年では従来のSiにかわって高性能なGaNやSiC材料の研究開発が活発化しています。住化分析センターでは、最新鋭の透過型電子顕微鏡や独自前処理技術を駆使し、SiC基板やエピ膜からデバイスに至るすべてのプロセスにおいて内部構造・欠陥解析や不純物評価を実施します。

特長

新規前処理法により、難溶解性SiC材料のバルク・表面・薄膜に含まれる金属不純物をICP-MSを用いてppbオーダーで定量する事が可能です。

SiC材料中の金属不純物評価 SiC材料中の金属不純物評価

事例

SiO2/SiC界面での欠陥生成の抑制のため、ゲート酸化膜形成後の窒素アニール処理が一般的に施されていることから、導入した窒素分布の把握が重要となっています。新規導入したTEMの高感度元素分析システムを用い、従来検出が困難であったN分布の解明を試みた結果、窒素アニールによりNがSiC表層部よりも基板側に導入されていることが推定されました。

SiO2/SiC界面近傍でのEDX元素マッピング SiO2/SiC界面近傍でのEDX元素マッピング
SiO2からSIC方向への各元素のラインプロファイル SiO2からSIC方向への各元素のラインプロファイル

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