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局所空間中のケミカル汚染分析

製造プロセスにおける局所空間のケミカル汚染(分子状汚染物質)状況の把握と清浄度管理を支援いたします。

歩留まり向上には製造装置内部や、輸送・保管環境の清浄度管理が必要です。局所空間のケミカル汚染状況の把握には対象空間に曝露した基板表面の付着物を評価する基板曝露法と、空間ガスを評価するガス捕集法の併用をご提案します。

特長

①装置内、FOUP、ウェーハケース、マスクケースなど多様な局所空間の評価に対応できます。
②基板曝露法とガス捕集法を併用して基板表面に付着しやすい成分を特定することができます。

分析項目

<基板曝露法>

項目 測定項目 サンプリング方法 前処理 測定方法
有機成分 揮発性有機物   基板曝露
    
・加熱脱離

・溶媒抽出
WTD-GC/MS
GC/MS
TOF-SIMS
イオン成分 酸、アルカリ

アミン成分

・溶液抽出

 

IC
CE,CE/MS,
CE/TOFMS 
TOF-SIMS
金属成分 金属成分 ・エッチング
 
 ICP-MS
TOF-SIMS

 <ガス捕集法>

項目 測定項目 サンプリング方法 測定方法
有機成分 揮発性有機物 ・吸着剤捕集
・活性炭捕集
GC/MS
イオン成分 酸、アルカリ

アミン成分

・溶液捕集法
 (インピンジャー法)
・固体捕集法(BremS®
・フィルター捕集法

IC
CE,CE/MS,
CE/TOFMS
金属成分  金属成分 ・溶液捕集法
 (インピンジャー法)
 ICP-MS

WTD :ウェーハ加熱脱離装置  GC/MS : ガスクロマトグラフ - 質量分析装置  
TOF-SIMS:飛行時間型二次イオン質量分析装置
IC : イオンクロマトグラフ分析装置  CE : キャピラリー電気泳動装置  TOFMS : 飛行時間型質量分析装置 
ICP/MS : プラズマ質量分析装置 

 

事例 基板曝露法とガス捕集法による基板への影響評価

基板曝露法とガス捕集法を併用することにより基板表面へ吸着しやすい成分の特定ができます。
ガス捕集法の測定結果から空間には低沸点成分が多く存在し、高沸点成分がほとんど確認されませんでした。しかし、基板曝露法では高沸点成分が多く基板に付着しており空間濃度の高い成分が必ずしも基板への付着量が多い結果にはならないことがわかります。

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