清浄度や耐久性の高い半導体装置部材の開発を分析評価で支援します
半導体装置部材の抽出試験を行うことにより、部材表面の付着物や部材からの抽出成分・発生粒子を分析することができます。部材の検討段階で耐久性試験及び抽出試験を実施することで、清浄度や耐久性の高い部材の選定が可能となります。
目的・背景
半導体分野ではデバイス構造の微細化に伴い、性能や歩留まりに影響する不純物や異物粒子について高い管理レベルが求められています。装置部材の開発が進む中、評価手法にも高感度化が必要です。
当社の強み
①幅広い薬液種・試料サイズ・評価領域に対応した抽出試験
②金属・イオン・有機成分、粒子を高感度に分析
③ご依頼目的に応じてカスタマイズした試験設計が可能
③ご依頼目的に応じてカスタマイズした試験設計が可能
分析項目
◎薬液種 : 超純水、水溶液(酸・アルカリ)、有機溶媒
◎試料サイズ : mm角のテストピースから数百mmの大サイズ試料
◎分析箇所 : 全面、局所など
◎分析項目 : 金属、有機物、イオン成分、粒子、不揮発成分、表面形状、化学状態分析
測定事例:抽出液中ナノパーティクル測定
シングルパーティクルICP-MS法(spICP-MS)はナノサイズの粒子個数濃度の測定が可能です。従来の液中パーティクルカウンター法(LPC)とは異なり、測定元素を指定することができるため、気泡や汚染粒子が結果に影響することはありません。
技術事例
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TN087NEW超純水中の微量アニオン・カチオン分析
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TN187NEW非 Si 系薄膜中の金属不純物分析
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TN176シリコンウェーハ表面の酸/塩基不純物分析
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TN438固体サンプラーBremS®による気中の酸・塩基性成分の評価
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TN426熱分解GC/MSによる異物の詳細解析
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TN410φ450mmシリコンウェーハ表面の金属不純物分析
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TN408TOF-SIMSによるアウトガス汚染評価
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TN405TOF-SIMSによるウォーターマークの定性分析
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TN347太陽電池用シリコン最表面の微量成分分析
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TN335シリコンウェーハ局所部位中の金属不純物分析
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TN333水平型基板検査装置を用いたウェーハエッジ・ベベル部の分析
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TN226MO樹脂等の全窒素、全炭素、灰分同時測定例
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TN192高分解能誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェーハ表層酸化膜中のりん分析
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TN177シリコンウェーハ表面への酸/塩基成分の付着挙動
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TN093有機化合物中の微量「硫黄/ハロゲン」測定
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TN068高分子材料の組成解析
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TN049ファインセラミックス中の不純物の定量分析
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TN042シリコンウェーハ表層の金属不純物分析
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TN028顕微FT-IRによるウェーハ上付着物の分析
関連情報