デバイス材料中の微量不純物定量
半導体デバイスに用いられる高純度なシリコン基板や石英基板中の微量金属不純物について高感度に定量します。
さらに電極材料、絶縁膜、磁性膜などの金属系薄膜やその原材料、イオン液体、その他原材料についても独自の前処理技術で微量不純物の高感度定量評価が可能です。
分析項目
金属元素分析、イオン成分分析、有機物分析それぞれに対応したクリーンルームにより、原材料中の微量不純物を高感度分析します。
| 対象材料 | 化合物例 | 用途 | 対象成分 | 分析方法 |
|---|---|---|---|---|
| 有機金属 | Ti,Zr,Al含有化合物 | 次世代開発材料 | 金属 | ICP-MS、ICP-AES |
| イオン | IC | |||
| ハロゲン化金属 | TiCl4,WF6, RuCl3 | 金属 | ICP-MS、ICP-AES | |
| イオン液体 | イミダゾリウム塩 ピロリジニウム塩 アンモニウム塩 ホスホニウム塩 等 |
金属 | ICP-MS、ICP-AES | |
| イオン | IC | |||
技術事例
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