デバイス材料中の微量金属不純物定量
半導体デバイスに用いられる高純度なシリコン基板や石英基板中の微量金属不純物について高感度に定量します。
さらに電極材料、絶縁膜、磁性膜などの金属系薄膜やその原材料についても独自の前処理技術で微量金属不純物の高感度定量評価が可能です。
技術事例
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TN176NEWシリコンウェーハ表面の酸/塩基不純物分析
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TN026固体材料の高感度α線測定
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TN485微小領域の組成・構造の可視化 ~顕微ラマン分光法によるイメージング分析~
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TN484各種材料設計のための高感度TMAによる線膨張率の精密測定
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TN438固体サンプラーBremS®による気中の酸・塩基性成分の評価
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TN410φ450mmシリコンウェーハ表面の金属不純物分析
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TN335シリコンウェーハ局所部位中の金属不純物分析
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TN192高分解能誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェーハ表層酸化膜中のりん分析
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TN187非Si系薄膜中の金属不純物分析
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TN177シリコンウェーハ表面への酸/塩基成分の付着挙動
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TN165TOF-SIMSによるCu-CMP後洗浄したウェーハ表面評価
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TN148XPSによるCu-CMP後洗浄したウェーハ表面評価
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TN087純水中の微量アニオン・カチオン分析
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TN042シリコンウェーハ表層の金属不純物分析
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TN032ポリイミド膜ウェーハのC・H・N元素分析
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TN028顕微FT-IRによるウェーハ上付着物の分析
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