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半導体デバイス

先端材料開発では材料の構造・組成の制御が原子レベルにまで達していることから、住化分析センターでは“微細” “微小” “極薄”という3つのキーワードに注目し、最新鋭の透過型電子顕微鏡導入や独自前処理技術の開発を行っています。また、お客様のご要望に応じウェーハ表面の金属汚染、分子状汚染物質(SMCs)や装置部材(配管、セラミック、石英)の超高感度定量など、各種分析手法をご提案します。

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