SiC（パワー半導体）
最新鋭評価装置でパワー半導体の開発を支援
有機エレクトロニクス分野において重要な多層薄膜構造の評価を、最適な分析手法でサポートします。結晶性や配向性、膜厚、表面粗さ、界面状態など、デバイス性能に直結する特性を多角的に解析。先端技術を駆使し、試料の状態や目的に応じた最適な評価を実現します。
特長
新規前処理法により、難溶解性SiC材料のバルク・表面・薄膜に含まれる金属不純物をICP-MSを用いてppbオーダーで定量する事が可能です。
事例
SiO2/SiC界面での欠陥生成の抑制のため、ゲート酸化膜形成後の窒素アニール処理が一般的に施されていることから、導入した窒素分布の把握が重要となっています。新規導入したTEMの高感度元素分析システムを用い、従来検出が困難であったN分布の解明を試みた結果、窒素アニールによりNがSiC表層部よりも基板側に導入されていることが推定されました。
技術事例
お問い合わせ・ご相談
