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memsセンサー

効率的な電気エネルギーの制御を行う上で重要な役割を果たすパワー半導体に対して、最新のプロセス評価技術をご紹介いたします。

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電子部品・MEMSの評価

NEW電子部品の故障解析

電力用半導体デバイスであるパワーモジュールの、高信頼性の実現に、実装故障現象の解析と、その要因を解明するための分析を多彩な手法を用いて貢献します。

電子部品封止材の評価

エポキシ樹脂封止材料の熱的特性および・放熱物t性および熱履歴に伴う評価を実施いたします。
熱伝導率測定と熱膨張率測定を組み合わせて熱的特性を評価します。

シール部のバリア性評価

デバイスを保護するバリアフィルムの性能評価とともに、構造を封止・接着するシール部のバリア性を高感度に評価することが重要です。

信頼性評価

半導体デバイス、実装・電子部品、電子材料、 各種機能性材料などは信頼性試験を実施することで、不良解析や実装不良などを確認することができます。

環境試験

各試験規格による環境試験を実施いたします。
複合塩水噴霧サイクル試験・化学薬品耐性試験・腐食性ガス試験の概要をご紹介いたします。

SiC評価

高分解能分析電子顕微鏡技術

窒化アニール後の平面型MOSFETデバイスについて、最新鋭透過型電子顕微鏡を用いてSiO2/SiC界面の原子レベルでの構造解析が可能です。

高空間分解能の元素状態分析

Csコレクタ搭載STEMによるサブナノレベルの空間分解能の分析結果から、EELSスペクトルの多変量解析を行うことで、元素状態分析が可能です。

SiCキャリア濃度評価・応力測定

SiCのような極性を持つ化合物半導体に可視光レーザーを照射すると、結晶格子振動に由来する縦波と横波が分裂してラマンスペクトルに観測が可能です。

製造装置内のデポ物評価

装置内壁におけるデポ物量の分布を正確に評価することにより、クリーニングレシピを的確に検討することができ、歩留まり改善へ繋げることが可能です。

SiC薄膜および部材の不純物分析

さまざまな前処理法を適応することにより、SiC基板やエピ膜からデバイスに至るすべての工程において、ICP-MSで金属不純物の管理をすることが可能となります。

SiC薄膜の超高感度定量

新規前処理法により、寛容快晴のSiC材料のバルク・表面・薄膜に含まれる金属不純物をICP-MSを用いて、ppbオーダーで定量することが可能です。

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