パワー半導体

住化分析センターでは、効率的な電気エネルギーの制御を行う上で重要な役割を果たすパワー半導体に対して、プロセス評価技術の向上に努めています。


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TF-5_1_SiC薄膜の超高感度定量

難溶解性のSiC材料のバルク・表面・薄膜に含まれる金属不純物を、ICP-MSを用いてppbオーダーで定量します。また、SiCコート材料の表面汚染評価も可能です。


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TF-5_2_SiCデバイスの欠陥解析

SiCデバイスにおける、アニール処理条件の違いによるAlドーパントの深さ方向濃度分布と二次欠陥を、SIMSとDF-STEMを併用し、解析した事例を紹介します。


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TF-5_3_SiC界面の窒化層評価

SiO2/SiC界面における窒素の濃度分布はSIMSで高精度に評価可能です。さらに、窒素の化学状態分析は精密化学エッチングと同時角度分解XPS(AR-XPS)の組合せで評価可能です。


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TF-5_4_SiC薄膜および部材の不純物分析

SiC材料および基板のバルク、表面、薄膜に含まれる金属不純物は、ICP-MSを用いることで他手法(SIMS,GD-MS,TREXなど)より高感度に定量が可能です。

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