電子部品・材料｜マテリアルサイエンス｜技術資料

パワー半導体、パワーモジュールに関する不純物分析技術や酸化膜界面評価技術に加え、超音波顕微鏡やモジュール開封技術を用いたパワーモジュールの故障解析の事例についてご紹介いたします。

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SiCエピ膜の不純物分析

SiC基板およびエピ膜の不純物分析

さまざまな前処理法を適応することにより、SiC基板やエピ膜からデバイスに至るすべての工程において、ICP-MSで金属不純物の管理をすることが可能となります。

SiC薄膜の超高感度定量

新規前処理の適用により、難溶解性であるSiC材料中の微量金属不純物（ppbオーダー）を定量できます。

SiCキャリア濃度評価・応力測定

SiCのような極性を持つ化合物半導体に可視光レーザーを照射すると、結晶格子振動に由来する縦波と横波が分裂してラマンスペクトルに観測が可能です。

半導体材料のラマンスペクトル解析

SiC材料の応力、結晶性、キャリア濃度などについて高空間分解能ラマンイメージングの取得が可能です。

高分解能分析電子顕微鏡技術

窒化アニール後の平面型MOSFETデバイスについて、最新鋭透過型電子顕微鏡を用いてSiO2/SiC界面の原子レベルでの構造解析が可能です。

SiC界面の窒化層評価

SIMSによるSiO2/SiC界面の不純物分布評価および角度分解XPSによる界面の状態解析が可能です。

電子部品の故障原因を解析するためには、故障個所を高精度かつ低ダメージで採取する必要があります。
故障個所や解析目的に応じた前処理・観察等を実施いたします。

パワー半導体の故障解析

故障リアルタイムモニタリングシステムにより、パワーサイクル試験下でのデバイス内部構造を観察し、初期段階からの故障要因を推察できます。

信頼性評価

高い信頼性が求められる電子部品、電子機器における異常箇所の解析や劣化試験後の材料解析等の分析メニューをご紹介いたします。

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