コンタミネーション・異物解析

さまざまなデバイスの製造プロセスや装置内外で生じたコンタミネーション（コンタミ）や、異物を独自のサンプリング技術で採取し定性分析を行います。また、ウェーハ表面の分子状汚染物質（SMCs）の超高感度定量など、ご要望に応じた分析手法をご提案し迅速にご報告いたします。

主な分析項目

分析対象	目的・評価項目	手法・測定装置
ウェーハ表面・表層	超微量金属成分定性・定量	ICP/MS、 ICP/AES、GF-AAS、 TXRF、SIMS
	超微量イオン成分定性・定量	IC、 ICP-MS、IC/TOF-MS、CE、 CE-MS、CE/TOF-MS
	超微量有機成分定性・定量	WTD-GC/MS、GC-MS
ウェーハ局所部位（スポット,エッジ,ベベル部）	超微量金属成分定性・定量	ICP/MS、 ICP/AES、GF-AAS
	超微量イオン成分定性・定量	IC、IC/MS、IC/TOF-MS、CE、 CE-MS、CE/TOF-MS
	定性解析	TOF-SIMS、 AES、 XPS、顕微FT-IR、EPMA、 SEM-EDX、 TDS、レーザーラマン
製品製造工程発生異物	サンプリング	現地サンプリング、非破壊サンプリング、 μマニュピレーター
	形状観察	光学顕微鏡、金属顕微鏡、FE-SEM
	断面観察	CP加工、FE-SEM、FIB加工、 TEM
	元素組成	EPMA、 SEM-EDX、 AES、 XPS、 TEM-EDX
	定性解析	XPS、 TOF-SIMS、 AES、顕微FT-IR、レーザーラマン

御一報ください（WEB/TEL/MAIL）→お伺いいたします（MEET/TEL/MAIL）→御見積→サンプル受領[受入検査/外観視察] or 現場採取[受入検査/外観視察]、マイクロサンプリング、溶出操作→前処理[マイクロサンプリング/溶出操作]→観察・定性・定量→解析→速報→報告

タイトル	整理番号
シリコンウェーハ局所部位中の金属不純物分析	TN335
水平型基板検査装置を用いたウェーハエッジ・ベベル部の分析	TN333
異物の定性分析 -顕微FT-IRイメージング-	TN327
オージェ電子分光法	TN284
EPMAによる微小領域の化学状態分析	TN253
高分解能誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェーハ表層酸化膜中のりん分析	TN192
非シリコン系薄膜付ウェーハの金属不純物分析	TN187
シリコンウェーハ表面への酸/塩基成分の付着挙動	TN177
シリコンウェーハ表面の酸/塩基不純物分析	TN176
飛行時間型二次イオン質量分析法（TOF-SIMS）	TN060
シリコンウェーハ表層の金属不純物分析	TN042
顕微FT-IRによるウェーハ上付着物の分析	TN028
XMAによるシリコンウェーハ上付着物の分析	TN019
XMAによる微小異物の分析	TN018