分析技術事例（Technical News）
電子関連
電子関連の分析事例をPDFファイルでご紹介します。
クリーンルームエア評価
| タイトル | 整理番号 |
|---|---|
| 製薬機器の粒子封じ込め（コンテインメント）性能評価 Assessing the Particulate Containment Performance of Pharmaceutical Equipment | TN357 |
| ミニエンバイロメントの評価技術 －ウェーハ付着有機物（FOSBの開閉及び保管試験）－ | TN203 |
| クリーンルーム空気中の全りん（P）定量 The determination of total phosphorus in clean room air. | TN200 |
| 温室効果（地球温暖化）ガスの測定 | TN111 |
| 半導体材料のアウトガス分析 Analysis of outgas released from LSI materials | TN095 |
| 純水中の微量アニオンの分析 Analysis of trace anions in pure water | TN087 |
| ICP－MS分析法の応用[Cool Plasma法] Application of Inductively coupled plasma mass spectrometry | TN067 |
| クリーンルーム空気中の清浄度評価 Cleanliness evaluation of environmental air in clean room for semiconductor production process | TN063 |
| 飛行時間型二次イオン質量分析法（TOF－SIMS） Time of flight secondary ion mass spectrometry（TOF－SIMS） | TN060 |
| クリーンルーム空気中の微量物質の分析 Evaluation methods for trace impurities in clean room air | TN045 |
電子デバイス評価
| タイトル | 整理番号 |
|---|---|
| シリコンウェーハ局所部位中の金属不純物分析 Analysis of Metallic Impurities in a Limited Area of a Silicon Wafer | TN335 |
| 石英ガラス部材中の金属不純物分析法 Chemical Analysis of Metallic Impurities on Fused Silica Material | TN334 |
| 水平型基板検査装置を用いたウェーハエッジ・ベベル部の分析 Wafer Edge and Bevel Area Analysis Using the Horizontal Substrate Inspection Device | TN333 |
| 大型放射光施設を利用した各種分析試験 Various analysis examinations using the large synchrotron radiation facilyty | TN312 |
| 燃料電池用・炭化水素系高分子電解質膜の劣化解析 Analysis of Deterioration of Hydrocarbon Polymer Electrolyte Film | TN311 |
| CP加工－FE-EPMAによる燃料電池用MEA断面の観察 Observation of the cross section of MEA for fuel cells by FE-EPMA | TN310 |
| X線マイクロCTによる燃料電池用MEAの層構造観察 Observation of the cross section of MEA for fuel cells by X-ray CT | TN309 |
| 燃料電池の分析法概要 Outline of analysis methods for fuel cells | TN308 |
| 収差補正電子顕微鏡を用いた高分解能観察 High Resolution Observation by Use of the Electron Microscope with Cs-corrector | TN306 |
| 収差補正電子顕微鏡を用いた材料評価 Materials Evaluation by Use of the Electron Microscope with Cs-corrector | TN304 |
| Li イオン二次電池（熱分析による負極活物質の同定） Thermal analysis of the anode material for Li-ion batteries | TN303 |
| Li イオン二次電池（熱分析（DSC）によるセパレータの定性分析） Thermal analysis of the separator film for Li-ion batteries | TN302 |
| Liイオン二次電池（ICP-AESおよびICP-MSによる負極合剤の分析） Analysis of the anode material for Li-ion batteries by ICP-AES and ICP-MS | TN301 |
| Li イオン二次電池（ICP/AESによる正極活物質の組成分析） Composition analysis of the cathode material for Li-ion batteries by ICP/AES | TN300 |
| Li イオン二次電池（電解液用溶媒の組成分析） Composition analysis of the electrolyte solution for Li-ion batteries | TN299 |
| Li イオン二次電池（電極バインダ樹脂の分析） Composition analysis of the binder resin in electrodes for Li-ion batteries | TN298 |
| Li イオン二次電池（電極バインダ樹脂の分析） Composition analysis of the binder resin in electrodes for Li-ion batteries | TN297 |
| Li イオン二次電池（Li イオン二次電池用セパレータのSEM観察） Observation of the separator film for Li-ion batteries | TN296 |
| Li イオン二次電池（X線回折法（XRD）による正極活物質の構造解析） Cristallization analysis of the cathode material for Li-ion batteries by XRD | TN295 |
| Li イオン二次電池（CP加工－FE-EPMAによる電極断面の観察） Observation of the cross section of electrodes for Li-ion batteries by FE-EPMA | TN294 |
| Li イオン二次電池（CP加工－FE-SEMによる電極断面の観察） Observation of the cross section of electrodes for Li-ion batteries by FE-SEM | TN293 |
| Li イオン二次電池（X線マイクロCTによる非破壊観察） Nondestructive observation of Li-ion batteries by X-ray CT | TN292 |
| Li イオン二次電池（分析法概要） Outline of analysis methods for Li-ion batteries | TN291 |
| 5軸ステージを活用したTOF-SIMS分析 TOF-SIMS analysis using five-axis stage | TN289 |
| TOF-SIMSによる広領域マッピング Wide area mapping by Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry（TOF-SIMS） | TN288 |
| FIB-AESによるLSIチップの断面分析 The section analysis of the LSI chip by FIB-AES | TN287 |
| オージェ電子分光法 Auger Electron Spectroscopy | TN284 |
| 温度加速による寿命予測 Life estimation by temperature acceleration. | TN252 |
| 温湿度加速による寿命予測 Life estimation by temperature and humidity acceleration. | TN251 |
| FIB（Focused Ion Beam）-TEMによる試料最表面の状態観察 TEM observation of surface layer on materials prepared by FIB | TN250 |
| ミニエンバイロメントの評価技術 －ウェーハ付着有機物（FOSBの開閉及び保管試験）－ | TN203 |
| 高分解能誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェーハ表層酸化膜中のりん分析 Chemical Analysis of Phosphorus in a Oxidization Film on Silicon Wafer Surface by High Resolution Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry（HR-ICP-MS） | TN192 |
| 非Si系薄膜中の金属不純物分析 Chemical Analysis of Metallic Impurities in High Performance Thin Films on Silicon Wafer | TN187 |
| SIMSによる低ドーズ量イオン注入の高精度評価 | TN186 |
| Backside SIMSの技術紹介 | TN180 |
| シリコンウェーハ表面への酸/塩基成分の付着挙動 Sticking Behavior of Acidic and basic compounds onto Silicon Wafer Surface | TN177 |
| シリコンウェーハ表面の酸/塩基不純物分析 Chemical Analysis of Ionic Contaminants on Silicon Wafer Surface | TN176 |
| TOF-SIMSによるCu-CMP後洗浄したウェーハ表面評価 Surface analysis of wafers after post Cu-CMP cleaning by Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry（TOF-SIMS） | TN165 |
| XPSによるCu-CMP後洗浄したウェーハ表面評価 Surface analysis of wafer after Cu-CMP post cleaning by X-ray Photoelectron Spectroscopy（XPS） | TN148 |
| 昇温脱離ガス分析法の応用 Characterization of VLSI materials using Thermal desorption spectroscopy（TDS） | TN094 |
| 原子間力顕微鏡（AFM）のご紹介 Introduction of Atomic force microscope（AFM） | TN053 |
| BPSGおよびPSG膜の化学分析 Chemical analysis of boro-phospho silicate and phospho silicate glasses | TN043 |
| シリコンウェーハ表層の金属不純物分析 Chemical Analysis of Metallic Impurities on Silicon Wafer Surface | TN042 |
| XPSによるウェーハ上残存有機物の評価 Analysis of Residue on a Silicon Wafer by X-Ray Photoelectron Spectroscopy（XPS） | TN037 |
| SIMSによる多層膜中の軽元素（H､O）分析 Determination of light elements（H,O）in a multi-layers by SIMS | TN036 |
| オージェ電子分光法（AES）による微小表面 汚染部の分析 Surface analysis of small spot contaminants by Auger electron spectroscopy（AES） | TN035 |
| XPSによる酸化膜厚の測定 Determination of thickness of oxide film on a wafer substrate by X-ray photoelectron spectroscopy（XPS） | TN033 |
| ポリイミド膜ウェーハのC・H・N元素分析 Determination of C,H,N in Polyimide Film Coated on Silicon Wafer | TN032 |
| 顕微FT-IRによるウェーハ上付着物の分析 Characterization of Fine Substance on Silicon Wafer with Fourier Transform Infrared Microspectrometry（m-FT-IR） | TN028 |
| オージェ電子分光法による表面、局所分析 Surface analysis of small spot by Auger electron spectroscopy（AES） | TN025 |
| XMAによるシリコンウェーハ上付着物の分析 Analysis of particles on a silicon wafer by XMA | TN019 |
| XMAによる微小異物の分析 Morphology and elemental analysis by XMA | TN018 |
| SIMSによる表面 マススペクトルの測定 Measurement of Secondary Ion Mass Spectra（SIMS）of Material Surfaces | TN011 |
| XPSによる深さ方向分析 Depth Profiling by X-ray Photoelectron Spectrometry（XPS） | TN007 |
| XPSによるシリコンウェーハの分析 Analysis of Silicon Wafer by X-ray Photoelectron Spectroscopy（XPS） | TN003 |
電子部品評価
| タイトル | 整理番号 |
|---|---|
| 放熱材料の熱伝導率測定 Determination of thermal conductivity of heat radiation materials | TN373 |
| 表面実装部品のはんだ継手せん断強度試験方法 Method for measuring shear strength of solder joints on surface mount device | TN330 |
| TMAによる線膨張率測定 Determination of coefficient of linear thermal expansion by TMA | TN325 |
| 冷熱衝撃試験 Thermal Shock Test | TN317 |
| オージェ電子分光法によるSUSの深さ方向分析 Depth profiling of SUS by Auger Electron Spectroscopy | TN286 |
| FIB（Focused Ion Beam）-TEMによる試料最表面の状態観察 TEM observation of surface layer on materials prepared by FIB | TN250 |
| Py-GC/MS及びEGA-MS法による加熱発生ガス分析 Evolved gas analysis by Py-GC/MS and EGA-MS method | TN247 |
| HDD関連部材の汚染評価技術 Analysis and Evaluation of Contamination of Hard Disk Drive Components | TN188 |
| 極薄酸窒化ゲート絶縁膜の評価 | TN184 |
| 最新鋭四重極型2次イオン質量分析装置の紹介 | TN183 |
| クリーンルーム構成材料から発生するアミン類のCE/MS分析 Evaluation of amines from clean room materials as outgas by CE/MS analysis | TN178 |
| 半導体材料のアウトガス分析 Analysis of outgas released from LSI materials | TN095 |
| 昇温脱離ガス分析法の応用 Characterization of VLSI materials using Thermal desorption spectroscopy（TDS） | TN094 |
| 純水中の微量アニオンの分析 Analysis of trace anions in pure water | TN087 |
| 純水中の超微量金属不純物分析[容器への吸着] Analysis of ultra trace elements in pure water-Suggestion of adsorptive loss on sampling bottle- | TN078 |
| ICP-MS分析法の応用[Cool Plasma法] Application of Inductively coupled plasma mass spectrometry | TN067 |
| 半導体用薬品中の微量金属不純物定量法 Analysis of inorganic impurities in chemicals for semiconductor | TN066 |
| 半導体用高純度ガス中の極微量金属の定量分析 Analysis of inorganic impurities in high-purified gases for semiconductor | TN065 |
| 装置材料の清浄度評価 Cleanliness evaluation of materials for semiconductor production equipment | TN064 |
| グロー放電質量分析法（GD-MS） Glow Discharge Mass Spectrometry | TN061 |
| ICP-MS分析法による超微量元素分析 Determination of ultra-trace impurities using Inductively coupled plasma mass spectrometry（ICP-MS） | TN051 |
| 加熱発生ガスの分析 Analysis of heating generated gases | TN041 |
| 黒鉛中微量元素の定量 Analysis of Inorganic Impurities in Graphite | TN027 |
| 半導体構成材料のアルファ線の測定 Measurement ofα-particles in semiconductor constituent materials | TN026 |
| レーザーラマン分光法による分析 Laser Raman spectroscopy | TN024 |
| ICP-AESによる微量分析 Analysis of Trace Inorganic Compounds Using Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectrometry（ICP-AES） | TN023 |
表示デバイス評価
| タイトル | 整理番号 |
|---|---|
| GC/TOF-MSを用いた液晶の構造解析 Structural analysis of liquid crystal compounds using gas chromatography / time of flight mass spectrometry | TN331 |
| 電解脱離質量分析法 Field Desorption Mass Spectrometry（FD-MS） | TN169 |
| 半導体材料のアウトガス分析 Analysis of outgas released from LSI materials | TN095 |
| 液晶ディスプレイ [ マイクロマニピュレータによる異物の解析]
Diagnosis for LCD unevenness -Determination of foreign particle using micromanipulator- |
TN075 |
| 液晶ディスプレイ [原子間力顕微鏡による表面粗さ測定]
Study of inferiority of liquid crystal displays -Comparison of surface roughness by AFM- |
TN074 |
| 液晶ディスプレイ（XPSによる配向膜の分析）
Study of inferiority of liquid crystal displays -Analysis of polyimide alignment film by XPS- |
TN073 |
| 液晶ディスプレイ（TOF/SIMS法による配向膜の解析）
Study of inferiority of liquid crystal displays -Analysis of polyimide alignment film by TOF-SIMS- |
TN072 |
| 液晶組成物の構造解析 Structure analysis of liquid crystal compounds | TN070 |
電子工業用原材料評価
| タイトル | 整理番号 |
|---|---|
| GC/TOF-MSを用いた液晶の構造解析 Structural analysis of liquid crystal compounds using gas chromatography / time of flight mass spectrometry | TN331 |
| オージェ電子分光法によるSUSの深さ方向分析 Depth profiling of SUS by Auger Electron Spectroscopy | TN286 |
| 包装材料などの透湿度測定（水蒸気透過度測定） Water Vapor Permeability Test of packaging foils and films | TN243 |
| 純水中の微量アニオンの分析 Analysis of trace anions in pure water | TN087 |
| 純水中の超微量金属不純物分析[容器への吸着] Analysis of ultra trace elements in pure water-Suggestion of adsorptive loss on sampling bottle- | TN078 |
| 半導体用薬品中の微量金属不純物定量法 Analysis of inorganic impurities in chemicals for semiconductor | TN066 |
| 半導体用高純度ガス中の極微量金属の定量分析 Analysis of inorganic impurities in high-purified gases for semiconductor | TN065 |
| 装置材料の清浄度評価 Cleanliness evaluation of materials for semiconductor production equipment | TN064 |
| グロー放電質量分析法（GD-MS） Glow Discharge Mass Spectrometry | TN061 |
| ICP-MS分析法による超微量元素分析 Determination of ultra-trace impurities using Inductively coupled plasma mass spectrometry（ICP-MS） | TN051 |
| 高純度石英中の不純物の定量分析 Determination of Inorganic Impurities in Highly Purified Quartz | TN050 |
| ファインセラミックス中の不純物の定量分析 Determination of impurities in fine ceramics | TN049 |
| 半導体構成材料のアルファ線の測定 Measurement of α-particles in semiconductor constituent materials | TN026 |
エネルギーデバイス
| タイトル | 整理番号 |
|---|---|
| 高分子材料の光、酸化、熱劣化評価～UV-Py-GC/MS～ Forecast Evaluation of Deterioration generated by UV, Oxidation and Heat in Polymer in UV-Py-GC/MS | TN349 |
| シリコン系太陽電池材料中の金属不純物分析 Determination of Metallic Impurities in Silicon Solar Cell | TN348 |
| 太陽電池用シリコン最表面の微量成分分析 Determination of Trace Impurities on Silicon Surface in Solar Cell | TN347 |
| 太陽電池用封止樹脂の劣化評価 Evaluation of Degradation of Polymer Encapsulants in Photovoltaic Cell | TN346 |
| 薄膜シリコン系太陽電池セルの評価 Evaluation of thin film silicon solar cell | TN345 |
| 大型放射光施設を利用した各種分析試験 Various analysis examinations using the large synchrotron radiation facilyty | TN312 |
| 燃料電池用・炭化水素系高分子電解質膜の劣化解析 Analysis of Deterioration of Hydrocarbon Polymer Electrolyte Film | TN311 |
| CP加工－FE-EPMAによる燃料電池用MEA断面の観察 Observation of the cross section of MEA for fuel cells by FE-EPMA | TN310 |
| X線マイクロCTによる燃料電池用MEAの層構造観察 Observation of the cross section of MEA for fuel cells by X-ray CT | TN309 |
| 燃料電池の分析法概要 Outline of analysis methods for fuel cells | TN308 |
| Li イオン二次電池（熱分析による負極活物質の同定） Thermal analysis of the anode material for Li-ion batteries | TN303 |
| Li イオン二次電池（熱分析（DSC）によるセパレータの定性分析） Thermal analysis of the separator film for Li-ion batteries | TN302 |
| Liイオン二次電池（ICP-AESおよびICP-MSによる負極合剤の分析） Analysis of the anode material for Li-ion batteries by ICP-AES and ICP-MS | TN301 |
| Li イオン二次電池（ICP/AESによる正極活物質の組成分析） Composition analysis of the cathode material for Li-ion batteries by ICP/AES | TN300 |
| Li イオン二次電池（電解液用溶媒の組成分析） Composition analysis of the electrolyte solution for Li-ion batteries | TN299 |
| Li イオン二次電池（電極バインダ樹脂の分析） Composition analysis of the binder resin in electrodes for Li-ion batteries | TN298 |
| Li イオン二次電池（電極バインダ樹脂の分析） Composition analysis of the binder resin in electrodes for Li-ion batteries | TN297 |
| Li イオン二次電池（Li イオン二次電池用セパレータのSEM観察） Observation of the separator film for Li-ion batteries | TN296 |
| Li イオン二次電池（X線回折法（XRD）による正極活物質の構造解析） Cristallization analysis of the cathode material for Li-ion batteries by XRD | TN295 |
| Li イオン二次電池（CP加工－FE-EPMAによる電極断面の観察） Observation of the cross section of electrodes for Li-ion batteries by FE-EPMA | TN294 |
| Li イオン二次電池（CP加工－FE-SEMによる電極断面の観察） Observation of the cross section of electrodes for Li-ion batteries by FE-SEM | TN293 |
| Li イオン二次電池（X線マイクロCTによる非破壊観察） Nondestructive observation of Li-ion batteries by X-ray CT | TN292 |
| Li イオン二次電池（分析法概要） Outline of analysis methods for Li-ion batteries | TN291 |
アウトガス試験評価
| タイトル | 整理番号 |
|---|---|
| 自動車部品・内装材から発生する揮発性有機化合物放散測定法 Method of determining diffused volatile organic compounds（VOC）generated from interior parts and materials in vehicles | TN342 |
| ダイナミックヘッドスペース法による揮発性化学物質の評価 Evaluation of the emission of volatile chemical substances by dynamic head space method | TN341 |
| 大形チャンバー法による電気・電子製品からの放散ガス評価 Evaluation of Emission from Electric and Electronic Products using Large Chamber Method | TN340 |
| Py-GC/MS及びEGA-MS法による加熱発生ガス分析 Evolved gas analysis by Py-GC/MS and EGA-MS method | TN247 |
| クリーンルーム構成材料から発生するアミン類のCE/MS分析 Evaluation of amines from clean room materials as outgas by CE/MS analysis | TN178 |
| 半導体材料のアウトガス分析 Analysis of outgas released from LSI materials | TN095 |
| 昇温脱離ガス分析法の応用 Characterization of VLSI materials using Thermal desorption spectroscopy（TDS） | TN094 |
| 装置材料の清浄度評価 Cleanliness evaluation of materials for semiconductor production equipment | TN064 |
| 加熱発生ガスの分析 Analysis of heating generated gases | TN041 |
環境負荷物質評価
| タイトル | 整理番号 |
|---|---|
| REACH対応 高懸念物質（SVHC）追加候補の定量分析 Determination of substances intended to submit Annex VX as SVHC | TN356 |
| REACH及びRoHS対象有害物質分析のワン・ストップ・サービス One stop service for determination of hazardous substances listed in REACH and RoHS | TN355 |
| アゾ染料・顔料より生成する特定アミン類の定量分析 Determination of specific aromatic amines derived from azo dyes and pigments | TN351 |
| 改訂版欧州RoHS指令案 優先評価物質の定量分析 Determination of substances for priority assessment listed in the proposal for the revised RoHS Directive | TN322 |
| REACH対応：アーティクル中の高懸念物質（SVHC）含有試料の分析事例 Determination of substances of very high concern in articles | TN321 |
| REACH対応 アーティクル中の高懸念物質（SVHC）定量分析 Determination of substances of very high concern in articles | TN313 |
信頼性評価試験
| タイトル | 整理番号 |
|---|---|
| 冷熱衝撃試験 Thermal Shock Test | TN317 |
| 温度加速による寿命予測 Life estimation by temperature acceleration. | TN252 |
| 温湿度加速による寿命予測 Life estimation by temperature and humidity acceleration. | TN251 |
| 電気化学的試験による腐食度の測定 | TN129 |
| 静的浸漬腐食試験による耐食性の評価 | TN128 |
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